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R25高频三极管

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R25高频三极管

更新时间:2023-07-14

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R25高频三板管





击穿电压:V(BR)CEO=12V,V(BR)CBO=20V,V(BR)EBO=3.0V

直流放大系数hFE:40250 @VCE=3V,IC=7mA

集电极-基极截止电流ICBO:100nA(**值)

发射极-基极截止电流IEBO:100nA(**值)

特征频率fT:5.0GHz@VCE=3V,IC=7mA

集电极允许电流IC0.1A

集电极**允许耗散功率PT0.2W

插入功率增益S219dB@IC=7mA,VCE=3V,f=1GHz

噪声系数NF1.2dB@IC=7mA,VCE=3V,f=1GHz

反馈电容Cre0.65 pF @ IC=ic=0,VCB=10V,f=1MHz

贮存温度Tstg:-65~150

封装形式:SOT-23,或者SOT-323,或者SC-59

功率特性:中功率

极性:NPN

结构:扩散型

材料:硅(Si)






2SC3356-R25硅超高频低噪声功率管是一种基于N型外延层的晶体管,因为该型号放大倍数为125-250档的命名为R25,并且塑封体本体上印字为R25,所以简称为R25三极管。

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